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- 310105000314990
- 存续（在营、开业、在册）
- 有限责任公司
- 2006年11月1日
- 王东平
- 490.5万人民币
- 至 永久
- 长宁区市场监督管理局
- 2006年11月1日
- 上海市长宁区天山路641号20幢302A室
- 微系统技术、半导体、传感系统、计算机软硬件领域内的技术开发、技术转让、技术咨询、技术服务；销售相关产品；从事货物进出口及技术进出口业务。【&#yfpz】
| 序号 | 公布号 | 发明名称 | 公布日期 | 摘要 |
| 1 | CN104165715B | 一种压力传感器制作方法及其结构 | 2016.08.03 | 本发明提供一种压力传感器制作方法及其结构，至少包括以下步骤：提供一硅衬底以及另一硅片结构；采用键合方 |
| 2 | CN205140951U | 一种芯片的片上导线直接引出结构 | 2016.04.06 | 本实用新型涉及一种芯片的片上导线直接引出结构，属于电子器件类。本实用新型特征在于使用微加工方法，在硅 |
| 3 | CN105355615A | 一种芯片的片上导线直接引出结构及制作方法 | 2016.02.24 | 本发明涉及一种芯片的片上导线直接引出结构及制作方法，属于电子器件类。本发明特征在于使用微加工方法，在 |
| 4 | CN104165715A | 一种压力传感器制作方法及其结构 | 2014.11.26 | 本发明提供一种压力传感器制作方法及其结构，至少包括以下步骤：提供一硅衬底以及另一硅片结构；采用键合方 |
| 5 | CN102495003B | 小型长光程红外气体传感器模块 | 2013.12.04 | 本发明涉及一种小型长光程红外气体传感器模块，主要包括红外光源(2)、热电堆探测器(6)、光学腔体/气 |
| 6 | CN101665231B | 一种基于(100)硅片采用双面对穿腐蚀制造薄膜器件结构及方法 | 2013.08.21 | 本发明涉及一种在(100)硅片上采用双面对穿腐蚀制造的薄膜器件结构及其制造方法。其特征在于硅片正面是 |
| 7 | CN102128804B | 一种侧壁进/出气的红外气体传感器 | 2013.06.19 | 本发明涉及一种侧壁进/出气的红外气体传感器，依次包括敏感头、信号采集模块、信号处理模块、信号显示模块 |
| 8 | CN101938862B | 一种具有螺管式加热电阻的三维微型加热器及其制作方法 | 2012.08.15 | 本发明涉及一种具有螺管式加热电阻的三维微型加热器及其制作方法，其特征在于横截面呈“V”字形或倒梯形结 |
| 9 | CN102495003A | 小型长光程红外气体传感器模块 | 2012.06.13 | 本发明涉及一种小型长光程红外气体传感器模块，主要包括红外光源(2)、热电堆探测器(6)、光学腔体/气 |
| 10 | CN102128804A | 一种侧壁进/出气的红外气体传感器 | 2011.07.20 | 本发明涉及一种侧壁进/出气的红外气体传感器，依次包括敏感头、信号采集模块、信号处理模块、信号显示模块 |
| 11 | CN101938862A | 一种具有螺管式加热电阻的三维微型加热器及其制作方法 | 2011.01.05 | 本发明涉及一种具有螺管式加热电阻的三维微型加热器及其制作方法，其特征在于横截面呈“V”字形或倒梯形结 |
| 12 | CN101846569A | 一种硅压阻式压力传感器封装结构 | 2010.09.29 | 本发明涉及一种硅压阻式压力传感器封装结构，包括一容纳具有输出端的压力传感器芯片的箱体和密封盖板。该箱 |
| 13 | CN101665231A | 一种基于(100)硅片采用双面对穿腐蚀制造薄膜器件结构及方法 | 2010.03.10 | 本发明涉及一种在(100)硅片上采用双面对穿腐蚀制造的薄膜器件结构及其制造方法。其特征在于硅片正面是 |
| 14 | CN100587430C | 一种基于基板的硅压阻式压力传感器封装结构 | 2010.02.03 | 本发明涉及一种基于基板的硅压阻式压力传感器封装结构。其特征在于基板是一块有金属图形分布的双面基板，基 |
| 15 | CN101271029A | 一种基于基板的硅压阻式压力传感器封装结构 | 2008.09.24 | 本发明涉及一种基于基板的硅压阻式压力传感器封装结构。其特征在于基板是一块有金属图形分布的双面基板，基 |
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